STW24N60DM2

STMicroelectronics
511-STW24N60DM2
STW24N60DM2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
200 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
FDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8.7 ns
Serie: STW24N60DM2
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Singapur
País de origen del ensamblaje:
Singapur
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 325

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Se espera el 26/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26
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