STW18N60M2

STMicroelectronics
511-STW18N60M2
STW18N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
280 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
21.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10.6 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: STW18N60M2
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 47 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 12 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

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En existencias: 250

Existencias:
250 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.93 $3.93
$1.94 $19.40
$1.76 $176.00
$1.47 $882.00
$1.41 $1,692.00
$1.39 $4,170.00

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