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STS8DN3LLH5

Name: STMicroelectronics STS8DN3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STS8DN3LLH5
Price: 0.63 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STS8DN3LLH5

Fabricante N.º:

STS8DN3LLH5

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr

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Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

STS8DN3LLH5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 22 V, 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	5.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	3.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.2 ns
Serie:	STS8DN3LLH5
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	21.1 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4 ns
Peso de la unidad:	74 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Italia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
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STS8DN3LLH5

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr Complete su diseño

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