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STPSC4H065DLF

Name: STMicroelectronics STPSC4H065DLF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC4H065DLF
Price: 1.25 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STPSC4H065DLF

Fabricante N.º:

STPSC4H065DLF

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode

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Hoja de datos:

STPSC4H065DLF Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.25	$1.25
	$1.15	$11.50
	$1.03	$1,030.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.991	$2,973.00
24,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-5
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	4 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.38 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	38 A
Ir - Corriente inversa:	3 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso de la unidad:	170 mg

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Hoja de datos

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PCN

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.