STP200N3LL

STMicroelectronics
511-STP200N3LL
STP200N3LL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,853

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.03 $2.03
$1.07 $10.70
$0.936 $93.60
$0.825 $412.50
$0.758 $758.00
$0.573 $1,146.00
$0.539 $2,695.00
$0.536 $5,360.00
25,000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
30 V
120 A
2.15 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
176.5 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 108 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 183 ns
Serie: STP200N3LL
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 90 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.