STP16NM50N

STMicroelectronics
511-STP16NM50N
STP16NM50N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 600V 7A Pwr MESH IGBT
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Ciclo de vida:
Obsoleto
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
15 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 16 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Serie: STB16N
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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