STP120NF10

STMicroelectronics
511-STP120NF10
STP120NF10

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,262

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.24 $3.24
$2.19 $21.90
$1.88 $188.00
$1.57 $785.00
$1.38 $1,380.00
25,000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
10.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
233 nC
- 55 C
+ 175 C
312 W
Enhancement
STripFET
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 68 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 90 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 90 ns
Serie: STP120NF10
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 132 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99