STP11NM80

STMicroelectronics
511-STP11NM80
STP11NM80

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,973

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$4.58 $4.58
$3.23 $32.30
$3.06 $306.00
$2.83 $1,415.00
$2.82 $2,820.00
$2.80 $5,600.00
10,000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
11 A
400 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
43.6 nC
- 65 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 8 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 17 ns
Serie: STP11NM80
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99