STL2N80K5

STMicroelectronics
511-STL2N80K5
STL2N80K5

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 5,423

Existencias:
5,423 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.65 $1.65
$1.05 $10.50
$0.70 $70.00
$0.551 $275.50
$0.503 $503.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.442 $1,326.00
$0.411 $2,466.00
$0.402 $3,618.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
800 V
2 A
3.7 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
3 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STL2N80K5
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 76 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.