STGP7H60DF

STMicroelectronics
511-STGP7H60DF
STGP7H60DF

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.95 V
- 20 V, 20 V
14 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP7H60DF
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 14 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Disponibilidad

Existencias:
0

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Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.05 $2.05
$0.983 $9.83
$0.879 $87.90
$0.695 $347.50
$0.627 $627.00
$0.573 $1,146.00
$0.537 $2,148.00

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