STGF6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF6M65DF2
STGF6M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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Ciclo de vida:
Obsoleto
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
24.2 W
- 55 C
+ 175 C
STGF6M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 12 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

EOL

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Disponibilidad

Existencias:

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