STF8NM50N

STMicroelectronics
511-STF8NM50N
STF8NM50N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.47 $2.47
$1.58 $15.80
$1.07 $107.00
$0.899 $449.50
$0.791 $791.00
$0.732 $1,464.00
$0.707 $3,535.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
5 A
790 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
20 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8.8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4.4 ns
Serie: STF8NM50N
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 25 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99