STF7N60M2

STMicroelectronics
511-STF7N60M2
STF7N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
860 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
8.8 nC
- 55 C
+ 150 C
20 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15.9 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 7.2 ns
Serie: STF7N60M2
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 19.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7.6 ns
Peso de la unidad: 2 g
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PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Singapur
País de origen del ensamblaje:
Singapur
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 1,877

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

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Precio ext.
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