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STF28NM50N

Name: STMicroelectronics STF28NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF28NM50N
Price: 8.05 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STF28NM50N

Fabricante N.º:

STF28NM50N

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	21 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	158 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	35 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	52 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	STF28NM50N
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	62 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.6 ns
Peso de la unidad:	2 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$8.05	$8.05
	$4.38	$43.80
	$3.99	$399.00
	$3.62	$1,810.00

STF28NM50N

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO Complete su diseño

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