STF27N60M2-EP

STMicroelectronics
511-STF27N60M2-EP
STF27N60M2-EP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

Modelo ECAD:
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En existencias: 707

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.56 $3.56
$1.80 $18.00
$1.63 $163.00
$1.33 $665.00
$1.22 $1,220.00
$1.15 $2,300.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
163 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 6.3 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8.1 ns
Serie: STF27N60M2-EP
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 55.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 13.4 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.