STF24N60M2

STMicroelectronics
511-STF24N60M2
STF24N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: STF24N60M2
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Singapur
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 652

Existencias:
652
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Se espera el 23/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
24
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