STF11NM60ND

STMicroelectronics
511-STF11NM60ND
STF11NM60ND

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 107

Existencias:
107 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 107 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.11 $5.11
$2.96 $29.60
$2.46 $246.00
$2.37 $1,185.00
$2.01 $2,010.00
$1.96 $9,800.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
10 A
450 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
FDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 7.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 7 ns
Serie: STF11NM60ND
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99