STD8N65M5

STMicroelectronics
511-STD8N65M5
STD8N65M5

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

Modelo ECAD:
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$3.19 $3.19
$2.07 $20.70
$1.48 $148.00
$1.26 $630.00
$1.15 $1,150.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$1.02 $2,550.00
$1.01 $10,100.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
7 A
560 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: Mdmesh M5
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 330 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics offers a variety of new high-performance N-channel power MOSFETs. The STmicroelectronics STD8N65M5 and STP8N65M5 are N-channel 650V, 0.56Ω, 7A MDmesh™ V power MOSFETs. The STD8N65M5 comes in a DPAK package while the STP8N65M5 comes in a TO-220. The STL17N3LLH6 is an N-channel 30V, 17A STripFET™ VI DeepGATE power MOSFET that exhibits the lowest on-resistance in a standard package. The STMicroelectronics STL85N6F3 N-channel, 60V STripFET™ 2 power MOSFET shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. The STP34NM60N N-channel second generation MDmesh MOSFET features low input capacitance and gate charge, making it suitable for the most demanding high efficiency converters.

N-channel MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding RDS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules.