STD80N6F7

STMicroelectronics
511-STD80N6F7
STD80N6F7

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
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STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7.8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 17.6 ns
Serie: STD80N6F7
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 24.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Peso de la unidad: 360 mg
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PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
No disponible
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low RDS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.65 $1.65
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$0.668 $66.80
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