STB24N60M2

STMicroelectronics
511-STB24N60M2
STB24N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

Modelo ECAD:
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En existencias: 2,628

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$3.53 $3.53
$2.30 $23.00
$1.62 $162.00
$1.41 $705.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$1.23 $1,230.00
$1.21 $2,420.00
$1.14 $5,700.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
190 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 61 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: STB24N60M2
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 15 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Peso de la unidad: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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