STB18NF30

STMicroelectronics
511-STB18NF30
STB18NF30

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

Modelo ECAD:
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En existencias: 267

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Precio ext.:
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$3.24 $3.24
$2.11 $21.10
$1.61 $161.00
$1.26 $630.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$1.10 $1,100.00
$1.02 $2,040.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
330 V
18 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
44 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STB18NF30
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET II™ Power MOSFETs

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STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.