STAC4932B

STMicroelectronics
511-STAC4932B
STAC4932B

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF

Ciclo de vida:
Obsoleto
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Restricciones de envío:
 Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:  
N-Channel
Si
1 mA
200 V
250 MHz
26 dB
1.2 kW
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
STAC244B
Tray
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: SP
Transconductancia hacia delante - Mín.: 6 S
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: STAC4932B
Cantidad de empaque de fábrica: 80
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: + 20 V
Peso de la unidad: 2.100 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STAC4932B RF Power Transistors

STMicroelectronics STAC4932B RF power transistors are designed for use in 100 V pulse applications up to 250 MHz. STMicroelectronics STAC4932B RF power transistors feature excellent thermal stability and common source push-pull configuration. These STMicroelectronics N-channel field-effect RF power transistors benefit from highly efficient STAC® (ST Air Cavity) packaging technology.
Learn More