Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SGT120R65AL

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-SGT120R65AL

Fabricante N.º:

SGT120R65AL

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

GaN FETs 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

SGT120R65AL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Alerta de envío:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	120 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 155 C
Dp - Disipación de potencia :	192 W
Modo canal:	Enhancement
Tecnología:	GaN
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.7 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	E-Mode
Tiempo de retardo de apagado típico:	8.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.1 ns
Peso de la unidad:	76 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SGT120R65AL Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

SGT120R65AL Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

SPICE Model (Cierre)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SGT120R65AL 650V E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT120R65AL 650V E-Mode PowerGaN Transistor offers 15A maximum current capability combined with well-established packaging technology and a Kelvin source connection for optimum gate driving. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency. The SGT120R65AL is available n an industry-standard PowerFLAT 5×6 HV compact surface-mount package. Typical applications include PC adaptors, USB wall chargers, and wireless charging.