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SCT018HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT018HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018HU65G3AG
Price: 16.02 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SCT018HU65G3AG

Fabricante N.º:

SCT018HU65G3AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

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	$16.02	$16.02
	$12.39	$123.90
	$10.72	$1,072.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)
	$10.67	$6,402.00
1,200	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HU3PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	29 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	-10 V, 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Qg - Carga de puerta:	82.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	388 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	9.5 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29.5 ns