SCT011HU75G3AG

STMicroelectronics
511-SCT011HU75G3AG
SCT011HU75G3AG

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
HU3PAK-7
1 Channel
750 V
110 A
15 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.2 V
154 nC
- 55 C
+ 175 C
652 W
Enhancement
AEC-Q101
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 11 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 42 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 23 ns
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotor de STMicroelectronics  están desarrollados con la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2da/3ra generación de ST. Los dispositivos cuentan con bajo nivel de resistencia de encendido por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. Los MOSFET cuentan con una capacidad de temperatura en funcionamiento muy alta (TJ = 200°C), y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y sólido.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Disponibilidad

Existencias:
0

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En pedido:
1,200
Se espera el 12/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
36
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$27.47 $27.47
$21.10 $211.00
$18.95 $1,895.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)
$17.16 $10,296.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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