Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

QPD1015

Name: Qorvo QPD1015
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1015
Price: 324.52 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

772-QPD1015

Fabricante N.º:

QPD1015

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

Hoja de datos:

QPD1015 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Qorvo QPD1015

En existencias: 25

Existencias:: 25

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 25
Plazo de entrega de fábrica:: 20

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$324.52	$324.52
	$308.10	$3,081.00
	$268.57	$6,714.25
250	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	NI-360
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	64 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD1015PCB401
Ganancia:	20 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.7 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	70 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1015
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	145 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

QPD1015 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.