MT46V64M8P-5B:J

340-122948-TRAY
MT46V64M8P-5B:J

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Micron Technology
Categoría de producto: DRAM
Restricciones de envío:
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RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
TSOP-66
64 M x 8
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
Marca: Micron
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1080
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 85 mA
Peso de la unidad: 9.140 g
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DDR SDRAM

La tecnología revolucionaria e innovadora DDR SDRAM de Micron permite que las aplicaciones transfieran datos en los extremos de subida y caída de la señal de reloj. Esto duplica el ancho de banda y mejora el rendimiento en SDR SDRAM. Para lograr esta funcionalidad, Micron utiliza una arquitectura 2n-prefetch en la que el bus de datos internos duplica el tamaño del bus de datos externos; así, la captura de datos puede ocurrir dos veces por cada ciclo de reloj.

Disponibilidad

Existencias: