MSCSM120AM042T6AG

Name: Microchip MSCSM120AM042T6AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SCSM120AM042T6AG
Price: 501.57 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

579-SCSM120AM042T6AG

Fabricante N.º:

MSCSM120AM042T6AG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-SP6C

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SP6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	495 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	2.031 W
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	67 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	74 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Phase Leg SiC MOSFET Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	166 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	66 ns

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: No disponible
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

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