MSC040SMA120B

Microchip Technology
494-MSC040SMA120B
MSC040SMA120B

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
Ver en el Selector herramientas de desarrollo

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre Microchip Technology MSC040SMA120B

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
62 A
50 mOhms
- 10 V, + 25 V
1.8 V
140 nC
- 55 C
+ 175 C
311 W
Enhancement
Marca: Microchip Technology
Configuración: Single
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Peso de la unidad: 6 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

En existencias: 143

Existencias:
143 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$24.23 $24.23
$22.81 $228.10
$22.34 $670.20
$21.20 $2,544.00
$19.44 $5,248.80
$18.26 $9,312.60

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.