MSC035SMA170B

Microchip Technology
494-MSC035SMA170B
MSC035SMA170B

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.7 kV
68 A
45 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.8 V
178 nC
- 55 C
+ 175 C
370 W
Enhancement
Marca: Microchip Technology
Configuración: Single
Tiempo de caída: 17 ns
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 10 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 15 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

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Se espera el 15/9/2026
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Se espera el 5/10/2026
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17
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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