MSC035SMA170B4

Microchip Technology
579-MSC035SMA170B4
MSC035SMA170B4

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.7 kV
68 A
35 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.25 V
178 nC
- 55 C
+ 175 C
370 W
Enhancement
Marca: Microchip Technology
Configuración: Single
Tiempo de caída: 17 ns
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 7 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 15 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Disponibilidad

Existencias:
0

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En pedido:
509
Se espera el 3/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$41.80 $41.80
$38.54 $385.40
$33.54 $4,024.80
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