MSC015SMA070S

Microchip Technology
494-MSC015SMA070S
MSC015SMA070S

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
D3PAK-3
1 Channel
700 V
112 A
19 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
215 nC
- 55 C
+ 175 C
477 W
Enhancement
Marca: Microchip Technology
Configuración: Single
Tiempo de caída: 20 ns
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 34 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 53 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 6.200 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

En existencias: 1

Existencias:
1 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$18.78 $18.78
$17.31 $173.10
$16.84 $2,020.80
$16.75 $4,522.50
$16.73 $8,532.30
1,020 Presupuesto

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