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MIC4606-2YML-TR

Name: Microchip MIC4606-2YML-TR
Brand: Microchip Technology
SKU: 998-MIC4606-2YMLTR
Price: 2.63 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

998-MIC4606-2YMLTR

Fabricante N.º:

MIC4606-2YML-TR

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Controladores de puertas 85V Full Bridge FET Driver

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Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.63	$2.63
	$2.19	$54.75
	$2.00	$200.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$2.00	$10,000.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Full-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-16
Número de controladores:	4 Driver
Número de salidas:	4 Output
Corriente de salida:	1 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	5.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	16 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de subida:	20 ns
Tiempo de caída:	20 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MIC4606
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Microchip Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Alias de las piezas n.º:	MIC4606-2YML TR

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MIC4606 85V Full Bridge MOSFET Driver

Microchip Technology MIC4606 85V Full-Bridge MOSFET Driver offers adaptive dead time and shoot-through protection. MIC4606's adaptive dead-time circuitry constantly monitors both sides of the full bridge. This design minimizes the time between high-side and low-side MOSFET transitions, which in turn maximizes power efficiency.