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APTGX900A120TDP3EG

Name: Microchip APTGX900A120TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX900A120TDP3EG
Price: 234.26 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

579-TGX900A120TDP3EG

Fabricante N.º:

APTGX900A120TDP3EG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos IGBT
RoHS:
Producto:	IGBT Modules
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	900 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	300 nA
Dp - Disipación de potencia :	3.26 kW
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Marca:	Microchip Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tecnología:	Si

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USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower V_CE(sat) and V_f, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at T_j +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.