APT94N65B2C6

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Mouser N.º:

494-APT94N65B2C6

Fabricante N.º:

APT94N65B2C6

Fabricante:

Microchip Technology

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Alerta de envío:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	T-MAX-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	94 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	320 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	833 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	172 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	59 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	323 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns
Peso de la unidad:	6 g