APL602LG-1

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Mouser N.º:

579-APL602LG1

Fabricante N.º:

APL602LG-1

Fabricante:

Microchip Technology

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-264-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	49 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	125 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	730 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Linear MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	56 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns