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MAPC-A3006-ABSB1

Name: MACOM MAPC-A3006-ABSB1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3006-ABSB1
Price: 1742.73 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

937-MAPC-A3006-ABSB1

Fabricante N.º:

MAPC-A3006-ABSB1

Fabricante:

MACOM
MACOM

Descripción:

Herramientas de desarrollo RF Application & Test Fixture, MAPC-A3006

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo RF
Producto:	Add-On Boards
Tipo:	RF Transistor
La Herramienta es para la Evaluación de :	MAPC-A3006-AB
Frecuencia:	DC to 8 GHz
Marca:	MACOM
Tipo de producto:	RF Development Tools
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools

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Hoja de datos

MAPC-A3006-ABSB1 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 8V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and are Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.