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GTVA126001EC-V1-R0

Name: MACOM GTVA126001EC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA126001ECV1R0
Price: 1126.15 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-GTVA126001ECV1R0

Fabricante N.º:

GTVA126001EC-V1-R0

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

Hoja de datos:

GTVA126001EC-V1-R0 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1,126.15	$1,126.15
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	$1,126.15	$56,307.50

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	H-36248-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3 V
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	18 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	1.4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.2 GHz
Potencia de salida:	600 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V

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PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

HEMT GaN en SiC de RF de alta potencia GTVA

Los HEMT GaN en SiC de RF de alta potencia GTVA de Wolfspeed / Cree son transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de 50 V basados en la tecnología de nitrito de galio en carburo de silicio. Los dispositivos GaN en SiC ofrecen una densidad de alta potencia combinada con un alto voltaje de ruptura, lo que permite admitir amplificadres de potencia altamente eficientes. Los HEMT GaN en SiC de RF de alta potencia GTVA incluyen sincronización de entradas, alta eficiencia y paquetes mejorados a nivel térmico. Estos dispositivos pulsados o de CW (onda continua) tienen un ancho de pulso de 128µs y un ciclo de trabajo del 10 %.