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GTRA362002FC-V1-R0

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Mouser N.º:

941-GTRA362002FCV1R0

Fabricante N.º:

GTRA362002FC-V1-R0

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	H-37248C-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.1 A
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Frecuencia de trabajo máxima:	3.6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	3.4 GHz
Tecnología:	GaN
Marca:	MACOM
Ganancia:	13.5 dB
Potencia de salida:	200 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V

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PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FET LDMOS y JFET de RF 5G

Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) y los FET de semiconductores de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS) de RF 5G de MACOM son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la próxima generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN en SiC, sincronización de entrada, alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin orejas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiestándar.