IRF2807PBF

Infineon Technologies
942-IRF2807PBF
IRF2807PBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 1,852

Existencias:
1,852
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1,000
Se espera el 3/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.22 $2.22
$1.08 $10.80
$0.967 $96.70
$0.773 $386.50
$0.721 $721.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
75 V
82 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
106.7 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: CN
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99