IPWS65R035CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPWS65R035CFD7AX
IPWS65R035CFD7AXKSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
63 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
145 nC
- 40 C
+ 150 C
305 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: CoolMOS CFD7A
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: IPWS65R035CFD7A SP005405804
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 240   Múltiples: 240
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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