IXTP2N80

IXYS
747-IXTP2N80
IXTP2N80

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 50   Múltiples: 50
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.57 $128.50
$1.89 $189.00
$1.68 $840.00
$1.43 $1,430.00
$1.38 $3,450.00
$1.35 $6,750.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
2 A
6.2 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
54 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 18 ns
Serie: IXTP2N80
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 30 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99