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IXTN32P60P

Name: IXYS IXTN32P60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN32P60P
Price: 29.25 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTN32P60P

Fabricante N.º:

IXTN32P60P

Fabricante:

IXYS

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	32 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	350 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	890 W
Serie:	IXTN32P60
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	33 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	27 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Polar Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	95 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	37 ns
Vr - Tensión inversa:	100 V
Peso de la unidad:	30 g