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IXTH36P10

Name: IXYS IXTH36P10
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH36P10
Price: 4.15 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTH36P10

Fabricante N.º:

IXTH36P10

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36 Amps -100V 0.075 Rds

Hoja de datos:

IXTH36P10 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	75 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	180 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	28 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	37 ns
Serie:	IXTH36P10
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	35 ns
Peso de la unidad:	6 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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	$2.40	$2,448.00

IXTH36P10

Fabricante: IXYS

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36 Amps -100V 0.075 Rds

Especificaciones

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Cumplimiento de productos y comercio

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36 Amps -100V 0.075 Rds

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