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FMM75-01F

Name: IXYS FMM75-01F
Brand: IXYS
SKU: 747-FMM75-01F
Price: 23.51 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-FMM75-01F

Fabricante N.º:

FMM75-01F

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V

Hoja de datos:

FMM75-01F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	ISOPLUS-i4-PAK-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	75 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	180 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET, ISOPLUS i4-PAC
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Tiempo de caída:	60 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	60 ns
Serie:	FMM75-01F
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	80 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	6.500 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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1,000	Presupuesto

FMM75-01F

Fabricante: IXYS

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V

Especificaciones

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