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IS25LP512M-RMLA3-TR

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Mouser N.º:

870-512M-RMLA3-TR

Fabricante N.º:

IS25LP512M-RMLA3-TR

Fabricante:

ISSI

Descripción:

Memoria flash tipo NOR 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, T&R, dedicated reset pin, Auto Grade

Ciclo de vida:

Pedido especial de fábrica:

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Hoja de datos:

IS25LP512M-RMLA3-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NOR
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Serie:	IS25LP512M
Tamaño de memoria:	512 Mbit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de lectura activa - máx.:	40 mA
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	133 MHz
Organización:	64 M x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tipo de tiempo:	Synchronous
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	ISSI
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NOR Flash
Velocidad:	133 MHz
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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PCN

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.a

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: China

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

IS25WP512M & IS25LP512M Serial NOR Flash

ISSI IS25WP512M & IS25LP512M Serial NOR Flash is a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. The device is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. It is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. Clock frequencies of up to 133MHz allow for equivalent clock rates of up to 532MHz (133MHz x 4), which equates to 66.5Mbytes/s of data throughput. The memory array is organized into programmable pages of 256/512 bytes.