Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

DI280N10TL

Name: Diotec Semiconductor DI280N10TL
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI280N10TL
Price: 6.42 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

637-DI280N10TL

Fabricante N.º:

DI280N10TL

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N

Hoja de datos:

DI280N10TL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diotec Semiconductor DI280N10TL

En existencias: 284

Existencias:: 284

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 4,000

Se espera el 13/2/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 9

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$6.42	$6.42
	$5.02	$50.20
	$3.01	$301.00
	$2.98	$1,490.00
	$2.89	$2,890.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$2.55	$5,100.00
	$2.40	$9,600.00
10,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	280 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Qg - Carga de puerta:	122 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	425 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	75 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	33 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	95 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Alias de las piezas n.º:	N-CHANNEL

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

DI280N10TL Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Automotive Reverse Polarity Protection Application Note

Images

Models

Product Catalogs

Calm Sea? No Problem for Full Electric Motor Sailboats

Specification Sheets

Full Material Declaration (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI280N10TL N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI280N10TL N-Channel Power MOSFET is a 100V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a compact, space-saving HSOF-8 package. It comes with a 280A continuous drain current (I_D) and 375W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 1.6mΩ typical (V_GS=10V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI280N10TL is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, and power tool applications.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.