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AS4C32M16D2C-25BINTR

Name: Alliance Memory AS4C32M16D2C-25BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-C32M16D2C25BINTR
Price: 3.11 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

913-C32M16D2C25BINTR

Fabricante N.º:

AS4C32M16D2C-25BINTR

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel

Hoja de datos:

AS4C32M16D2C-25BINTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR2
Tamaño de memoria:	512 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	400 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-84
Organización:	32 M x 16
Tiempo de acceso:	400 ps
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.9 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	Alliance Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	75 mA

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320032
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.