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AS4C16M16MSA-6BINTR

Name: Alliance Memory AS4C16M16MSA-6BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-A4C16M16MSA6BINT
Price: 6.31 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

913-A4C16M16MSA6BINT

Fabricante N.º:

AS4C16M16MSA-6BINTR

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Hoja de datos:

AS4C16M16MSA-6BINTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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N.º de artículo del Fabricante:

AS4C16M16MSA-6BIN

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$10.18

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM Mobile
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	166 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-54
Organización:	16 M x 16
Tiempo de acceso:	6 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	AS4C16M16MSA-6
Empaquetado:	Reel
Marca:	Alliance Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	80 mA

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AS4C16M16MSA-6BINTR Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.