ALD910027SALI

Name: Advanced Linear Devices ALD910027SALI
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD910027SALI
Price: 7.94 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

585-ALD910027SALI

Fabricante N.º:

ALD910027SALI

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V

Hoja de datos:

ALD910027SALI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Advanced Linear Devices ALD910027SALI

En existencias: 3,684

Existencias:: 3,684 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 4 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$7.94	$7.94
	$5.60	$56.00
	$4.96	$496.00
	$4.21	$10,525.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	10.6 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	400 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.72 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Dual
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	74 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

ALD910027SALI Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

ALD8100xx/ALD9100xx Quad/Dual SAB™ MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD8100xx/ALD9100xx Quad/Dual SAB™ MOSFET Arrays are built with production-proven EPAD® technology. The ALD8100xx/ALD9100xx Supercapacitor Auto Balancing (SAB) addresses voltage and leakage-current balancing of supercapacitors connected in series. Supercapacitors, also known as ultracapacitors or super caps, connected in series can be leakage-current balanced by using a combination of one or more devices connected across each supercapacitor stack to prevent over-voltages.